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FJD3076TM中文资料

FJD3076TM图片

FJD3076TM外观图

  • 大小：47.4KB
  • 厂家：Fairchild Semiconductor
  • 描述： NPN 10 W 32 V 2 A Surface Mount Epitaxial Silicon Transistor - TO-252-3
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：32V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：800mV @ 200mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：130 @ 500mA，3V
  • 功率 - 最大：1W
  • 频率 - 转换：100MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：D-Pak
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：FJD3076TM-NDFJD3076TMFSTR

FJD3076TM供应商

更新时间:2023-01-08 19:38:42
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